產品介紹

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

3D記錄不同空間位置的神經細胞。
多功能配置、性能可靠。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采(cai)用成熟的硅技術設計的新(xin)的三維電極，用于像靈長類這樣的大型動(dong)物(wu)的急性(xing)和慢性(xing)實驗。

Matrix Array™同時跨越皮(pi)質層和皮(pi)質柱，覆蓋大片區域，記錄大量的神經(jing)信息。

Matrix Array可(ke)以直接(jie)使用我們(men)標(biao)準的(de)2D硅電極組裝，每一(yi)片硅電極的(de)間距和陣列形式都可(ke)以定制(zhi)，可(ke)以靈(ling)活自如(ru)地設計出跨越(yue)任(ren)何(he)解剖(pou)結構的(de)3D電極。Matrix Array通過一(yi)個超柔的(de)線纜(lan)連接(jie)到電極連接(jie)器上。

每個(ge)電(dian)極都提供了配套的工具（包(bao)括測量工具，模(mo)擬裝配，螺絲等），協助(zhu)您提高電(dian)極記(ji)錄的成(cheng)功率。

從左上角開始順時針順序：單核Matrix Array™，雙核Matrix Array™，多核Matrix Array™電極與表面電極，單核Matrix Array™與表面電極

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度(du)靈活的配置(zhi)(zhi)(zhi)。各種配置(zhi)(zhi)(zhi)都可以擴展傳統的記錄(lu)區域，能夠與從腦(nao)表(biao)(biao)面到(dao)皮質下結構的任何(he)部分相互連接。單(dan)個電(dian)極(ji)組(zu)(zu)件，或為多個植入位置(zhi)(zhi)(zhi)選擇雙核組(zu)(zu)件。使表(biao)(biao)面電(dian)極(ji)和(he)(he)植入電(dian)極(ji)的組(zu)(zu)合(he)記錄(lu)腦(nao)表(biao)(biao)面和(he)(he)腦(nao)皮層(ceng)。可將(jiang)短和(he)(he)長電(dian)極(ji)混合(he)在一(yi)個陣列中，以記錄(lu)并刺激高達10毫米(mi)深的腦(nao)組(zu)(zu)織結構。

上圖：配置有不同電極長度的單個Matrix Array™，對大腦中不同區域進行定位。

規格：